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Wafer厂经常遇到的CP、FT、WAT是什么意思?

一 总体概念: CP(chip probing)、FT(Functional Test)、WAT(Wafer Acception Test)1.1 CP是把坏的Die挑出来,可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。CP 是对wafer进行测试,检查fab厂制造的工艺水平。 1.2 FT是把坏的chip挑出来;检验封装的良率。FT 是对package进行测试,检查封装厂制造的工艺水平。 CP Pass 才会去封装。然后FT,确保封装后也Pass。**音特电子公司对于CP良率低于98.5%的产品将不进行封测,就谈不上FT了。 1.3 WAT是Wafer Acceptance Test,对专门的测试图形(test key)的测试,通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定; 二 、CP工艺 CP是wafer level的chip probing,包括的工艺指标如下:2.1 backgrinding和backmetal(if need),对一些基本器件参数的测试,如vt(阈值电压),Rdson(导通电阻),BVdss(源漏击穿电压),Igss(栅源漏电流),Idss(漏源漏电流)等,一般测试机台的电压和功率不会很高;CP 测试 存储器产品来说还有一个非常重要的作用,那就是通过最低接受高度计算出chip level 的Repair address,通过Laser Repair将CP测试中的Repairable die 修补回来,这样保证了yield和reliability两方面的提升。 2.2 CP在整个制程中算是半成品测试,目的有2个,1个是监控前道工艺良率,另一个是降低后道成本(避免封装过多的坏芯片),其能够测试的项比FT要少些。最简单的一个例子,碰到大电流测试项CP肯定是不测的(探针容许的电流有限),这项只能在封装后的FT测。不过许多项CP测试后FT的时候就可以免掉不测了(可以提高效率),所以有时会觉得FT的测试项比CP少很多。FT是packaged chip level的Final Test,主要是对于这个(CP passed)IC或Device芯片应用方面的测试,有些甚至是待机测试; 2.3 Pass FP还不够,还需要做process qual 和product qual 对于测试项来说,有些测试项在CP时会进行测试,在FT时就不用再次进行测试了,节省了FT测试时间;但是有些测试项必须在FT时才进行测试(不同的设计公司会有不同的要求),一般来说,CP测试的项目比较多,比较全;FT测的项目比较少,但都是关键项目,条件严格。但也有很多公司只做FT不做CP(如果FT和封装yield高的话,CP就失去意义了)。在测试方面,CP比较难的是探针卡的制作,并行测试的干扰问题。FT相对来说简单一点。还有一点,存储器件测试的CP会更难,因为要做redundancy analysis,写程序很麻烦。应该说WAT的测试项和CP/FT是不同的。CP的良率是FAB厂的能力体现,而FT是指封装厂水平的体现,现我公司就做的FT全测试电气! 2.4 而CP的项目< FT的项目,项目完全一样的;不同的是卡的SPEC而已;因为封装都会导致参数漂移,所以CP测试SPEC收的要比FT更紧以确保最终成品FT良率。还有相当多的DH把wafer做成几个系列通用的die,在CP是通过trimming来定向确定做成其系列中的某一款,这是解决相似电路节省光刻版的最佳方案;所以除非你公司的wafer封装成device是唯一的,且WAT良率在99%左右,才会盲封的。据业内人士大量数据可知,盲封的DH很少很少,风险实在太大,不容易受控。三 CP的流程管控两方面作用3.1. 监控工艺,所以呢,觉得probe实际属于FAB范畴3.2. 控制成本。Financial fate。我们知道FT封装和测试成本是芯片成本中比较大的一部分,所以把次品在probe中reject掉或者修复,最有利于控制成本3.3 CP基本原理是探针加信号激励给pad,然后测试功能。 a. 测试对象,wafer芯片,还未封装; b. 测试目的,筛选,然后决定是否封装。可以节省封装成本(MPW阶段,不需要;fullmask量产阶段,才有节省成本的意义)。 c. 需要保证:基本功能成功即可,主要是机台测试成本高。高速信号不可能,最大支持100~400Mbps;高精度的也不行。总之,通常CP测试,仅仅用于基本的连接测试和低速的数字电路测试。四 总体分享知识点:终测通常是测试项最多的测试了,有些高附加值,高可靠性的客户还要求多温测试,成本也最大4.1 如果测试时间很长,CP和FT又都可以测,像trim项,加在probe能显著降低时间成本,当然也要看客户要求。4.2 关于大电流测试呢,FT多些,但是我在probe也测过十几安培的功率mosfet,一个PAD上十多个needle。4.3 有些PAD会封装到device内部,在FT是看不到的,所以有些测试项只能在CP直接测,像功率管的GATE端漏电流测试Igss4.4 CP测试 主要是挑坏die,修补die,然后保证die在基本的spec内,function well。4.5 FT测试 主要是package完成后,保证die在严格的spec内能够function。4.6 CP的难点在于,如何在最短的时间内挑出坏die,修补die。FT的难点在于如何在最短的时间内,保证出厂的Unit能够完成全部的Function。流程:FAB-----CP-----FT-----用户实际应用检验。

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302019.08
TVS的特性及应用

瞬态电压抑制器(Transient Voltage Suppressor)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10-12秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。 目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表(电度表)、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。具体有以下三大特点: 1、 将TVS二极管加在信号及电源线上,能防止微处理器或单片机因瞬间的肪冲,如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。 2、静电放电效应能释放超过10000V、60A以上的脉冲,并能持续10ms;而一般的TTL器件,遇到超过30ms的10V脉冲时,便会导至损坏。利用TVS二极管,可有效吸收会造成器件损坏的脉冲,并能消除由总线之间开关所引起的干扰(Crosstalk)。 3、将TVS二极管放置在信号线及接地间,能避免数据及控制总线受到不必要的噪音影响。 一、TVS的特性及主要参数 1、TVS的特性曲线TVS的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同;反向特性为典型的PN结雪崩器件。 在瞬态峰值脉冲电流作用下,流过TVS的电流,由原来的反向漏电流ID上升到IR时,其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR,TVS被击穿。随着峰值脉冲电流的出现,流过TVS的电流达到峰值脉冲电流IPP。在其两极的电压被箝位到预定的最大箝位电压以下。尔后,随着脉冲电流按指数衰减,TVS两极的电压也不断下降,最后恢复到起始状态。这就是TVS抑制可能出现的浪涌脉冲功率,保护电子元器件的整个过程。 2、TVS的特性参数 ①最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。 VWM是TVS最大连续工作的直流或脉冲电压,当这个反向电压加入TVS的两极间时,它处于反向关断状态,流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。 ②最小击穿电压VBR和击穿电流IR VBR是TVS最小的雪崩电压。25℃时,在这个电压之前,TVS是不导通的。当TVS 流过规定的1mA电流(IR)时,加入TVS两极间的电压为其最小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度,可把TVS分为±5%VBR和平共处±10% VBR两种。对于±5%VBR来说,VWM=0.85VBR;对于±10% VBR来说,VWM=0.81 VBR。 ③最大箝拉电压VC和最大峰值脉冲电流IPP 当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP流过TVS时,在其两极间出现的最大峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC 、IPP反映了TVS器件的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为箝位因子,一般在1.2~1.4之间。 ④电容量C 电容量C 是TVS雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比,C过大将使信号衰减。因此,C是数据接口电路选用TVS的重要参数。 ⑤最大峰值脉冲功耗PM PM是TVS能承受的最大峰值脉冲耗散功率。其规定的试验脉冲波形和各种TVS的PM值,请查阅有关产品手册。在给定的最大箝位电压下,功耗PM越大,其浪涌电流的承受能力越大;在给定的功耗PM下,箝位电压VC越低,其浪涌电流的承受能力越大。另外,峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且TVS所能承受的瞬态脉冲是不重复的,器件规定的脉冲重复频率(持续时间与间歇时间之比)为0.01%,如果电路内出现重复性脉冲,应考虑脉冲功率的“累积”,有可能使TVS损坏。 ⑥箝位时间TC TC是从零到最小击穿电压VBR的时间。对单极性TVS小于1×10-12秒;对双极性TVS小于是1×10-11 秒。 二、 TVS二极管的分类 TVS器件可以按极性分为单极性和双极性两种,按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特殊电路适用的专用型器件。如:各种交流电压保护器、4~200mA电流环保器、数据线保护器、同轴电缆保护器、电话机保护器等。若按封装及内部结构可分为:轴向引线二极管、双列直插TVS阵列(适用多线保护)、贴片式、组件式和大功率模块式等。 三、 TVS的选用技巧 1、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。 2、TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低,器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压,并行连接分电流。 3、 TVS的最大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。 4、在规定的脉冲持续时间内,TVS的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定了最大箝位电压后,其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。 5、对于数据接口电路的保护,还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。6、根据用途选用TVS的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理;多线保护选用TVS阵列更为有利。7、温度考虑。瞬态电压抑制器可以在-55~+150℃之间工作。如果需要TVS在一个变化的温度 工作,由于其反向漏电流ID是随增加而增大;功耗随TVS结温增加而下降,从+25℃到+175℃,大约线性下降50%雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此,必须查阅有关产品资料,考虑温度变化对其特性的影响。四、TVS与压敏电阻的比较 目前,国内不少需进行浪涌保护的设备上使用的是压敏电阻。压敏电阻是一种金属化物变阻器。TVS比压敏电阻的特性优越得多,具体特性参数的比较如下表所示。关键参数或极限值 TVS 压敏电阻 反应速度 10-12s 5×10-8 有否老化现象 否 有 最高使用温度 175℃ 115℃ 元件极性 单极性与双极性 单极性 反向漏电流典型值 5μA 200μA 箝位因子(VC/VBR) ≤1.5 ≥7~8 密封性质 密封不透气 透气 价格 较贵 便宜 欢迎与音特技术工程师探讨以及申请免费样品!

292019.08
欢迎参观 Korea Electronics Show 2019韩国电子展

幸运快3开奖结果走势图我司参加韩国电子展,欢迎广大国际客户莅临指导!【举办时间】2019 年 10 月 8 日(周二)—11 日(周五)【举办地点】韩国国际会展中心 COEX【展馆地址】513, Yeongdong-daero, Gangnam-gu, Seoul, 06164, Rep. of Korea【展位号】B19 展览时间:2019 年 10 月 8-10 日 10:00 至 17:00 2019 年 10 月 11 日 10:00 至 16:00 音特外贸部 info@yint.com.cn

262019.08
祝贺:我司 “加入中国汽车零部件电子电器发展中心”理事单位

幸运快3开奖结果走势图热烈祝贺:我公司正式成为中国汽车零部件发展中心理事单位,希望为中国汽车工业做出更大的贡献! 批文如下: 上海音特电子幸运快3开奖结果走势图: 根据中国汽车零部件电子电器发展中心《章程》规定, 经“中心“第八届常务理事会讨论通过, 批准贵单位为中国汽车零部件电子电器发展中心理事单位。 作为“中心“新理事单位, 希望贵单位遵守“中心”章程, 履行《章程》规定的权利和义务, 执行“中心”理事会决议, 承担“中心”委托的工作, 积极参与行业活动, 交流分享新产品、 新技术, 促进本企业和“中心”的共同发展希望发展中心越来越好,音特电子越来越好;为国家、社会做出更大的贡献!

202019.08
TVS瞬态电压抑制二极管原理参数详解

瞬态电压抑制二极管(TVS)又叫钳位二极管,是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件,它的外型与普通二极管相同,但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率。 瞬态电压抑制二极管的主要特点是在反向应用条件下,当承受一个高能量的大脉冲时,其工作阻抗立即降至极低的导通值,从而允许大电流通过,同时把电压钳制在预定水平,其响应时间仅为10-12毫秒,因此可有效地保护电子线路中的精密元器件。 瞬态电压抑制二极管允许的正向浪涌电流在TA=250C,T=10ms条件下,可达50~200A。双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率,并把电压钳制到预定水平,双向TVS适用于交流电路,单向TVS一般用于直流电路。可用于防雷击、防过电压、抗干扰、吸收浪涌功率等,是一种理想的保护器件。耐受能力用瓦特(W)表示。 瞬态电压抑制二极管的主要电参数 (1)击穿电压V(BR) 器件在发生击穿的区域内,在规定的试验电流I(BR)下,测得器件两端的电压称为击穿电压,在此区域内,二极管成为低阻抗的通路。 (2)最大反向脉冲峰值电流IPP 在反向工作时,在规定的脉冲条件下,器件允许通过的最大脉冲峰值电流。 IPP与最大钳位电压VC(MAX)的乘积,就是瞬态脉冲功率的最大值。 使用时应正确选取TVS,使额定瞬态脉冲功率PPR大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率。 瞬态电压抑制二极管的分类 瞬态电压抑制二极管可以按极性分为单极性和双极性两种,按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特殊电路适用的专用型器件。如:各种交流电压保护器、 4~200mA电流环保器、数据线保护器、同轴电缆保护器、电话机保护器等。若按封装及内部结构可分为:轴向引线二极管、双列直插TVS阵列(适用多线保护)、贴片式、组件式和大功率模块式等。 瞬态电压抑制二极管的应用 目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/ 直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表(电度表)、RS232/422/423/485、 I/O、LAN、ISDN 、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。 瞬态电压抑制二极管的特点 (1)将TVS二极管加在信号及电源线上,能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲,如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。 (2)静电放电效应能释放超过10000V、60A以上的脉冲,并能持续10ms;而一般的TTL器件,遇到超过30ms的10V脉冲时,便会导至损坏。利用TVS二极管,可有效吸收会造成器件损坏的脉冲,并能消除由总线之间开关所引起的干扰(Crosstalk)。 (3)将TVS二极管放置在信号线及接地间,能避免数据及控制总线受到不必要的噪音影响。 瞬态电压抑制二极管的选用技巧 (1)确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。 (2)TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低,器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压,并行连接分电流。 (3)TVS的最大钳位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。 (4)在规定的脉冲持续时间内,TVS的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定了最大钳位电压后,其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。 (5)对于数据接口电路的保护,还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。 (6)根据用途选用TVS的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理;多线保护选用TVS阵列更为有利。 (7)温度考虑。瞬态电压抑制器可以在-55℃~+150℃之间工作。如果需要TVS在一个变化的温度工作,由于其反向漏电流ID是随增加而增大;功耗随TVS 结温增加而下降,从+25℃~+175℃,大约线性下降50%雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此,必须查阅有关产品资料,考虑温度变化对其特性的影响。 处理瞬时脉冲对元件损害的最好办法是将瞬时电流从感应元件引开。TVS二极管在线路板上与被保护线路并联,当瞬时电压超过电路正常工作电压后,TVS二极管便产生雪崩,提供给瞬时电流一个超低电阻通路,其结果是瞬时电流透过二极管被引开,避开被保护元件,并且在电压恢复正常值之前使被保护回路一直保持截止电压。当瞬时脉冲结束以后,TVS二极管自动回覆高阻状态,整个回路进入正常电压。许多元件在承受多次冲击后,其参数及性能会产生退化,而只要工作在限定范围内,二极管将不会产生损坏或退化。 从以上过程可以看出,在选择TVS二极管时,必须注意以下几个参数的选择: 1、最小击穿电压VBR和击穿电流I R 。 VBR是TVS最小的击穿电压,在25℃时,低于这个电压TVS是不会产生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流(IR )时,加于TVS两极的电压为其最小击穿电压V BR 。按TVS的VBR与标准值的离散程度,可把VBR分为5%和10%两种。对于5%的VBR来说,V WM =0.85VBR;对于10%的VBR来说,V WM =0.81VBR。为了满足IEC61000-4-2国际标准,TVS二极管必须达到可以处理最小8kV(接触)和15kV(空气)的ESD冲击,部份半导体厂商在自己的产品上使用了更高的抗冲击标准。对于某些有特殊要求的可携设备应用,设计者可以依需要挑选元件。 2、最大反向漏电流ID和额定反向切断电压VWM。 VWM是二极管在正常状态时可承受的电压,此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压,否则二极管会不断截止回路电压;但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近,这样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威胁。当这个额定反向切断电压VWM加于TVS的两极间时它处于反向切断状态,流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。 3、最大钳位电压VC和最大峰值脉冲电流IPP 。当持续时间为20ms的脉冲峰值电流IPP流过TVS时,在其两端出现的最大峰值电压为VC。 V C 、IPP反映了TVS的突波抑制能力。 VC与VBR之比称为钳位因子,一般在1.2~1.4之间。 VC是二极管在截止状态提供的电压,也就是在ESD冲击状态时通过TVS的电压,它不能大于被保护回路的可承受极限电压,否则元件面临被损伤的危险。 4、Pppm额定脉冲功率,这是基于最大截止电压和此时的峰值脉冲电流。对于手持设备,一般来说500W的TVS就足够了。最大峰值脉冲功耗PM是TVS能承受的最大峰值脉冲功耗值。在特定的最大钳位电压下,功耗PM越大,其突波电流的承受能力越大。在特定的功耗PM下,钳位电压VC越低,其突波电流的承受能力越大。另外,峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且,TVS所能承受的瞬态脉冲是不重覆的,元件规定的脉冲重覆频率(持续时间与间歇时间之比)为0.01%。如果电路内出现重覆性脉冲,应考虑脉冲功率的累积,有可能损坏TVS。 5、电容器量C。电容器量C是由TVS雪崩结截面决定的,是在特定的1MHz频率下测得的。 C的大小与TVS的电流承受能力成正比,C太大将使讯号衰减。因此,C是数据介面电路选用TVS的重要参数。电容器对于数据/讯号频率越高的回路,二极管的电容器对电路的干扰越大,形成噪音或衰减讯号强度,因此需要根据回路的特性来决定所选元件的电容器范围。高频回路一般选择电容器应尽量小(如 LCTVS、低电容器TVS,电容器不大于3pF),而对电容器要求不高的回路电容器选择可高于40pF。 瞬态电压抑制二极管特性曲线: 说明:VBR:崩溃电压@IT- TVS瞬间变为低阻抗的点VRWM:维持电压-在此阶段TVS为不导通之状态VC:钳制电压@Ipp -钳制电压约略等于1.3*VBRVF:正向导通电压@IF -正向压降IR:逆向漏电流@VRWMIT:崩溃电压之测试电流IPP:突波峰值电流IF:正向导通电流欢迎与音特技术工程师探讨以及申请免费样品!

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